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J-GLOBAL ID：200903042533873812

半導体レ-ザの製造方法

Inventor： 阪口 眞弓 ,  古山 英人 ,  櫛部 光弘
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992021546
Publication number (International publication number)：1993218570
Application date： Feb. 07, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 しきい値電流を低く抑え、発振レーザの波長や位相にばらつきのない高性能な半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 第一導電型の半導体表面上にストライプ状のマスク層を形成し、このマスク層の間隔に少なくとも電流ブロック層の1層を側面が(111)B面を呈するように選択成長させる。つぎにこのマスク層を除去した半導体基板面と前記電流ブロック層の上に全面にわたって、活性層、第2導電型のクラッド層の順に少なくとも2層よりなる多層構造膜を成長させる。

Claim (excerpt)：

表面が少なくとも第1導電型の半導体である基板の表面にマスク層を形成する工程と、このマスク層の両側に、マスク層の近くに位置する側面が(111)B面を呈するように少なくとも電流ブロック層の1層を選択成長させる工程と、前記マスク層を除去する工程と、このマスク層を除去して現れた前記基板の表面と前記電流ブロック層の上に、前記基板方向から順に、活性層と第2導電型のクラッド層との少なくとも2層を持つ多層構造膜を成長させる工程とを有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。