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J-GLOBAL ID:200903042534370067
半導体ウエハ表面へのPb-Sn合金突起電極形成用電気メッキ液
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
富田 和夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995100014
Publication number (International publication number):1996269776
Application date: Mar. 31, 1995
Publication date: Oct. 15, 1996
Summary:
【要約】【目的】 高さおよび形状の整ったPb-Sn合金突起電極を半導体ウエハ表面に形成することができる電気メッキ液を提供する。【構成】 電気メッキ液が、フェノールスルホン酸鉛:Pb含有割合で1〜250g/l、フェノールスルホン酸錫:Sn含有割合で0.1〜250g/l、フェノールスルホン酸:20〜300g/l、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン:1〜50g/l、2-ヒドロキシ-1-ナフトアルデヒド:0.001〜1g/l、アルドールスルファニル誘導体:0.1〜30g/lの割合で含有し、かつ放射性同位元素の含有量が50ppb 以下の水溶液からなる。
Claim (excerpt):
フェノールスルホン酸鉛:Pb含有割合で1〜250g/l、フェノールスルホン酸錫:Sn含有割合で0.1〜250g/l、フェノールスルホン酸:20〜300g/l、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン:1〜50g/l、2-ヒドロキシ-1-ナフトアルデヒド:0.001〜1g/l、アルドールスルファニル誘導体:0.1〜30g/l、の割合で含有し、かつUおよびTh、並びにこれらの崩壊核種を主体とする放射性同位元素の含有量が50ppb 以下の水溶液からなることを特徴とする半導体ウエハ表面へのPb-Sn合金突起電極形成用電気メッキ液。
IPC (3):
C25D 3/56
, C25D 3/60
, C25D 7/12
FI (3):
C25D 3/56 Z
, C25D 3/60
, C25D 7/12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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