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J-GLOBAL ID：200903042534814445

酸化物導電体を用いた多層構造電極

Inventor： 荻本 泰史 ,  御手洗 俊 ,  長田 昌也 ,  松永 宏典
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997058480
Publication number (International publication number)：1998242078
Application date： Feb. 25, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ?@電極自体にヒロックや剥離が発生せず、?A下部ポリシリコンプラグへの酸素拡散がなく、?B電極の表面平坦性、緻密性が確保され、?C電極としてシート抵抗等の電気特性が確保される、600°C以上の酸素雰囲気中での熱処理工程に対するプロセス耐性を有する電極を実現できる多層構造電極を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板上に形成される多層構造電極において、下部にTaSiN、HfSiNのいずれか一つから選択されたバリアメタルを有し、該バリアメタルの上部にIrO2/Ir積層構造電極が形成されてなる酸化物導電体を用いた多層構造電極。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成される多層構造電極において、下部にTa又はHf、およびSi、Nを構成元素とするバリアメタルを有し、該バリアメタルの上部にIrO2/Ir積層構造電極が形成されてなることを特徴とする酸化物導電体を用いた多層構造電極。

IPC (9)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• マイクロ電子構造体とその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-196766   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 多層構造におけるTaSiN酸素拡散バリア
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-001500   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション