Pat

J-GLOBAL ID：200903042538872407

半導体ウエハの研削方法

Inventor： 志村 俊
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993189472
Publication number (International publication number)：1995045568
Application date： Jul. 30, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 裏面研削時およびウエハキャリア収容時における半導体ウエハの割れや欠け、半導体ウエハによるウエハキャリアの切削を防止できる半導体ウエハの研削方法を提供する。【構成】 集積回路が形成された半導体ウエハ1の外周面1aを、外周研削工程で凸状断面部1a1,1a2 が上下対称に形成されるように研削した後に、裏面研削工程で集積回路の形成面側の凸状断面部1a1 を残すようにして半導体ウエハ1の裏面1bを研削する。これにより、最終研削位置において外周面1aと研削面とで形成される角は鈍角となって偏荷重がかからないので、裏面研削時およびウエハキャリア収容時における半導体ウエハ1の割れや欠け、半導体ウエハ1によるウエハキャリアの切削を防止することができる。

Claim (excerpt)：

集積回路が形成された半導体ウエハの外周面を、外周研削工程において複数の凸状断面部が形成されるように研削した後に、裏面研削工程において前記集積回路の形成面側の凸状断面部を残すようにして前記半導体ウエハの裏面研削を行うことを特徴とする半導体ウエハの研削方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 331 ,  H01L 21/304 311