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J-GLOBAL ID：200903042540813744

プラズマ処理装置

Inventor： 根岸 伸幸 ,  横川 賢悦 ,  伊澤 勝 ,  山本 清二 ,  田地 新一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998364072
Publication number (International publication number)：2000188284
Application date： Dec. 22, 1998
Publication date： Jul. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】マイクロストリップアンテナ構造を有する電磁波放射アンテナを用いてUHF帯電磁波を真空容器に導入し、プラズマを発生させるシリコン酸化膜エッチング装置において、活性種制御とウェハ処理に用いる高周波バイアス電源の共用を図り、電源数を低減する。【解決手段】高周波バイアス電力のパルス変調を行い、被加工試料設置手段である下部電極とその周囲に配置された円環状部材であるフォーカスリングに印加した高周波バイアス電力が発振しているときは対向面である電磁波放射アンテナをアース電位として機能させ、逆に電磁波放射アンテナに印加した高周波バイアス電力が発振しているときは下部電極をアース電位として機能させる。

Claim (excerpt)：

排気手段により真空排気されている真空容器と、上記真空容器に原料ガスを導入するためのガス導入手段と、被加工試料設置手段と、導体板、誘電体およびアース電位導体の3層構造からなる300MHz〜1GHzの電磁波導入手段を有し、上記ガス導入手段により上記真空容器内に導入されたガスを上記電磁波でプラズマ化し、上記プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、上記被加工試料設置手段の周囲に円環状部材を備え、上記被加工試料設置手段と上記円環状部材と上記電磁波導入手段に、同一電源により高周波バイアス電力を印加することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 M

F-Term (17)：

4K057DA16 ,  4K057DD01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE14 ,  4K057DG15 ,  4K057DM17 ,  4K057DM18 ,  4K057DM28 ,  4K057DN01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DB03