Pat

J-GLOBAL ID：200903042545225379

化学的気相成長方法

Inventor： 網 隆明 ,  広中 克行 ,  磯辺 千春
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995213695
Publication number (International publication number)：1997059089
Application date： Aug. 22, 1995
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 膜組成と段差被覆性が共に優れたビスマス化合物の製造方法を提供する。【解決手段】 反応容器中に原料ガスおよび酸化性ガスを導入し、ビスマス化合物を堆積させる化学的気相成長方法において、酸化性ガスとしてオゾン、N2 O、NO2 より選ばれる少なくとも1種を含有するガスを用いる。

Claim (excerpt)：

反応容器中に原料ガスおよび酸化性ガスを導入し、ビスマス化合物を堆積させる化学的気相成長方法において、上記酸化性ガスとしてオゾン、N2 O、NO2 より選ばれる少なくとも1種を含有するガスを用いることを特徴とする化学的気相成長方法。

IPC (9)：

C30B 25/14 ,  C01G 35/00 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (8)：

C30B 25/14 ,  C01G 35/00 B ,  C01G 35/00 C ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651