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J-GLOBAL ID：200903042545826267

酸素拡散バリア性電極とその製造方法

Inventor： 長谷 卓
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995089184
Publication number (International publication number)：1996288239
Application date： Apr. 14, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 酸化物誘電体を成膜する場合に下部電極に接続される多結晶シリコンもしくはシリコンバリア層の酸化によるコンタクト不良を防ぐ。【構成】 Ptをはじめとする貴金属薄膜の結晶粒界は一般的に基板面に垂直に存在し、酸化雰囲気中では酸素の拡散はこの結晶粒界で主に起こっている。そこで粒界に酸素の拡散に対して障壁となる金属を配置することにより、結晶粒界での酸素の拡散を防ぎ貴金属の下に存在する多結晶シリコンやシリコンバリア層の酸化による導通不良を防ぐ。

Claim (excerpt)：

半導体表面と電気的接触を行う電極において、該半導体表面に設けられた半導体拡散バリア層上に積層された多結晶高融点貴金属層の結晶粒界に酸素拡散バリア部を設けたことを特徴とする酸素拡散バリア性電極。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• マイクロエレクトロニクス構造とその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-007170   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド