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J-GLOBAL ID：200903042548015154
レーザー蒸着法による薄膜製造方法及び薄膜製造装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995074424
Publication number (International publication number)：1996243380
Application date： Mar. 07, 1995
Publication date： Sep. 24, 1996
Summary：
【要約】【目的】 酸化物高温超伝導体を用いて信頼性の高いマイクロ波・ミリ波デバイス用部材を製造する方法を提供することを目的とする。【構成】 チャンバ内において、第1の表面と、第1の表面の裏側である第2の表面とを有する平板状の基板に対して、堆積物質から成るターゲットにレーザーを照射し堆積物質を昇華させて、基板の第1の表面上と第2の表面上とに堆積物質の膜を形成する製造方法であって、(a)ターゲットをチャンバ内に配置するステップと(b)ターゲットの近傍に、第1の表面がターゲットと対面するように、基板を配置するステップと、(c)基板を加熱して所定の温度に維持するステップと、(d)ターゲットにレーザーを照射し、且つ、基板を所定の周期で反転させて、第1の表面上と第2の表面上に堆積物質を堆積させるステップとを備えることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
チャンバ内において、第1の表面と、前記第1の表面の裏側である第2の表面とを有する平板状の基板に対して、堆積物質から成るターゲットにレーザーを照射し前記堆積物質を昇華させて、前記基板の前記第1の表面上と前記第2の表面上とに前記堆積物質の膜を形成する製造方法であって、(a)前記ターゲットを前記チャンバ内に配置するステップと(b)前記ターゲットの近傍に、前記第1の表面が前記ターゲットと対面するように、前記基板を配置するステップと、(c)前記基板を加熱して所定の温度に維持するステップと、(d)前記ターゲットにレーザーを照射し、且つ、前記基板を所定の周期で反転させて、前記第1の表面上と前記第2の表面上に前記堆積物質を堆積させるステップとを備えることを特徴とする薄膜製造方法。
IPC (7)：
B01J 19/12
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, C23C 14/28
, C30B 29/22 501
, H01L 39/24 ZAA
, H01P 7/10
B01J 19/12 G
, B01J 19/12 B
, C01G 1/00 S
, C01G 3/00 ZAA
, C23C 14/28
, C30B 29/22 501 M
, H01L 39/24 ZAA D
, H01P 7/10
