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J-GLOBAL ID：200903042550005530

半導体分布帰還型レーザ装置

Inventor： 多田 邦雄 ,  中野 義昭 ,  曹 宏力 ,  羅 毅 ,  井上 武史 ,  土橋 万知夫
Applicant, Patent owner： 光計測技術開発株式会社
Agent (1)： 井出 直孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991210924
Publication number (International publication number)：1993055686
Application date： Aug. 22, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 利得結合による分布帰還を利用した半導体分布帰還型レーザ装置の利得結合係数を大きくするとともに電流利用効率を高め、低しきい値電流動作を可能にする。【構成】 導電性が周期的に変化し、かつこの周期的変化と同一周期で吸収係数が変化する回折格子7を活性層4の近傍に設ける。

Claim (excerpt)：

誘導放出光を発生する活性層と、この活性層に沿って配置されこの活性層が発生した誘導放出光に光分布帰還を施す周期構造とを備えた半導体分布帰還型レーザ装置において、前記周期構造は、前記活性層に平行なレーザ光軸方向に沿って導電性が周期的に変化し、かつこの周期的変化と同一周期で前記活性層の発生する誘導放出光に対する吸収係数が変化する構造を含むことを特徴とする半導体分布帰還型レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-035581