Pat
J-GLOBAL ID：200903042551494993
所望の基板への単結晶材料からなる薄層の移動方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 富士弥 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000572908
Publication number (International publication number)：2003524876
Application date： Sep. 29, 1999
Publication date： Aug. 19, 2003
Summary：
【要約】第1の単結晶の基板から第2の基板へ、単結晶の薄層を移動する方法であって、水素のトラップを誘導するイオンを水素イオンと共注入すること、高温で水素を注入すること、またはこれらの組み合わせを実施し、次に、第1の基板の注入された層と残りの基板との結合を弱めるために熱処理を施し、さらに、注入された第1の基板と第2の基板との強力な接着を形成し、最後に、水素が充填された微小亀裂を形成、成長させることで単結晶の薄層が第1の基板の残りから分割するように別の熱処理を施すことによって、層分割に必要とされる水素の注入量が低減された移動方法が実現される。
Claim (excerpt)：
第1の単結晶基板の上部を第2の基板へ移動する方法であって、前記方法によって、必要とされる水素注入量が低減され、かつ、必要とされる分割温度が低減され、前記第1の基板は、実質的に平坦な表面を有する前記上部と、前記第1の基板の大部分から構成される下部と、から構成され、前記方法は、 注入により誘導された水素のトラップがアニールされる温度を下まわる温度に維持された水素のトラップを誘導する注入温度で、水素のトラップを誘導する1つまたは複数の元素の注入を前記表面に施し、前記1つまたは複数の元素は、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムからなる群より選択され、前記少なくとも1つの元素は、元素の最大濃度を有する元素の深さ分布を、注入後に前記第1の基板に有し、前記元素の最大濃度によって、前記第1の基板が前記上部と前記下部とに実質的に分割され、前記水素のトラップを誘導する注入は、1cm2当たり5×1016の注入量より少ないが、1cm2当たり1×1010の注入量より多く、 注入により誘導された水素のトラップがアニールされる温度を下まわる温度に維持された水素の注入温度で、軽水素と重水素からなる群より選択される水素の注入を前記表面に施し、前記水素は、前記元素の最大濃度の位置に実質的に生じる水素の最大濃度を有する水素の深さ分布を、前記第1の基板に有し、前記水素の注入の継続時間は、水素により誘導される表面の隆起が発生するのに必要とされるより短く、 注入により誘導された水素のトラップがアニールされる温度を下まわる増感温度で、実質的に前記水素の最大濃度の位置で前記表面に平行して表面下の顕微鏡的な微小亀裂が発生するのには十分に長いが、水素により誘導される表面の隆起が発生するのに必要とされるより短い時間、増感熱処理を前記第1の基板に施し、 接着構造を形成するために、陽極接着と直接ウェーハ接着より選択される接着方法によって、前記第1の基板の前記表面を前記第2の基板に接着し、 水素により誘導された微小亀裂が成長し、前記水素の深さ分布の最大濃度の位置に近接した領域で実質的に前記表面に平行して部分的に重複し、それによって、前記第1の基板の前記上部が分割することにより前記下部から分離し、前記第2の基板に移動するように十分に長い時間、前記水素の移動温度で、移動のための熱処理を前記接着構造に施す、 ことを含むことを特徴とする方法。
IPC (6)：
H01L 21/265
, H01L 21/02
, H01L 21/20
, H01L 21/76
, H01L 21/762
, H01L 27/12
H01L 21/02 B
, H01L 21/20
, H01L 27/12 B
, H01L 21/265 Q
, H01L 21/265 F
, H01L 21/76 R
, H01L 21/76 D
5F032AA06
, 5F032CA05
, 5F032CA06
, 5F032CA09
, 5F032DA21
, 5F032DA60
, 5F032DA74
, 5F052KB01
, 5F052KB05
