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J-GLOBAL ID：200903042554814271

超伝導コヒーレント電磁波発振装置及びその製造方法

Inventor： 井口 家成
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 平山 一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999164112
Publication number (International publication number)：2000353836
Application date： Jun. 10, 1999
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】 従来の原理から脱却した磁場の印加の必要のない増幅作用のある、しかも直流電流を流すだけの簡易な方法でコヒーレントな電磁波発振ができる超伝導コヒーレント電磁波発振装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 層状結晶構造を有する超伝導体単結晶11にトンネル障壁層13を介して電流を注入し、生じた電磁波を空洞共振器5内で増幅することにより、コヒーレントな強い電磁波発振を得る。

Claim (excerpt)：

層状結晶構造を有する超伝導体単結晶と注入電極とをトンネル接合したトンネル障壁層を有する電磁波発振源を備え、超伝導状態にあって上記注入電極に電流注入して位相の揃ったコヒーレントな電磁波を放射する超伝導コヒーレント電磁波発振装置。

IPC (2)：

H01S 1/02 ZAA ,  H01L 39/22 ZAA

FI (2)：

H01S 1/02 ZAA ,  H01L 39/22 ZAA D

F-Term (10)：

4M113AA01 ,  4M113AC44 ,  4M113AD62 ,  4M113BB07 ,  4M113BC02 ,  4M113BC04 ,  4M113CA33 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35 ,  4M113CA44