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J-GLOBAL ID:200903042568984307

ホールパタン形成用マスク

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山川 政樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994082756
Publication number (International publication number):1995271013
Application date: Mar. 30, 1994
Publication date: Oct. 20, 1995
Summary:
【要約】【目的】 吸収型位相シフトマスクの透過率を増大させることなく、すなわち光学像の2次ピークの強度を増大させることなく、焦点余裕をもったホールパタンの形成を行えるようにする。【構成】 マスクパタンの振幅透過率分布を、転写しようとするホールパタンの中心からの距離に対して、0次のベッセル関数(図1(a)参照)とする。具体的には、この連続的な振幅透過率分布を階段状の関数で近似し(図1(b))、、吸収型位相シフトマスクで実現する。例えば、転写しようとするホールパタンHPM の中心から半径1.1λ/NAおよび2.1λ/NAの円の円周線上に、円環状の帯(透過部)HPS1およびHPS2を補助パタンとして設ける。
Claim (excerpt):
そのマスクパタンの振幅透過率分布が、転写しようとするホールパタンの中心からの距離に対して、0次のベッセル関数とされていることを特徴とするホールパタン形成用マスク。
IPC (3):
G03F 1/08 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027
FI (2):
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

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