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J-GLOBAL ID：200903042570938304

4H形炭化珪素単結晶の成長方法

Inventor： 金谷 正敏 ,  高橋 淳 ,  大谷 昇
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994126463
Publication number (International publication number)：1995330493
Application date： Jun. 08, 1994
Publication date： Dec. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、4H形炭化珪素単結晶を簡単に確実に得ることを目的とする。【構成】 昇華再結晶法で炭化珪素単結晶を成長する方法において、種結晶に15R形炭化珪素単結晶の(0001)炭素面を使用する。

Claim (excerpt)：

黒鉛製のるつぼ内において炭化珪素原料粉末を不活性気体雰囲気中で昇華させ、原料よりやや低温になっている炭化珪素基板(種結晶)上に炭化珪素単結晶を成長させる昇華再結晶法において、種結晶として15R形炭化珪素の(0001)炭素面を使用することを特徴とする4H形炭化珪素単結晶成長方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/02