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J-GLOBAL ID：200903042582745471

半導体デバイスにメタル窒化物膜を統合するための方法及び装置

Inventor： プラヴィン ナルワンカル ,  タルガット サヒン
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000290804
Publication number (International publication number)：2001148380
Application date： Sep. 25, 2000
Publication date： May. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体デバイスにメタル窒化物膜を統合するための基板処理方法。【解決手段】本発明によれば、誘電層は基板の上に形成される。誘電層は、窒素パッシベーションされた誘電層を形成するために第2のチャンバの中に形成される活性窒素原子に、第1のチャンバの中に次いで曝露される。メタル窒化物膜は、窒素パッシベーションされた誘電層の上で次いで形成される。

Claim (excerpt)：

基板を処理するための方法であって、誘電体基板の上に層を形成するステップと、第1のチャンバ内で前記誘電層を、第2のチャンバ内で形成された活性窒素原子に曝露して、窒素パッシベーション誘電層を形成するステップと、前記窒素パッシベーション誘電層の上にメタル窒化物層を形成するステップとを有する方法。

IPC (10)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78

FI (10)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 X ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 27/10 621 A ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 301 G