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J-GLOBAL ID：200903042582756465

半導体慣性センサの製造方法

Inventor： 柴谷 博志 ,  村石 賢介
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997072956
Publication number (International publication number)：1998270714
Application date： Mar. 26, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 レーザ加工が不要で大量生産に適し、寄生容量が低く、電極間ギャップ形成精度に優れた高感度で高精度の半導体慣性センサを得る。【解決手段】 第2単結晶シリコン層52と第2酸化膜42と第1単結晶シリコン層51と第1酸化膜41と第2シリコンウェーハ22とからなる積層体を形成する。第2単結晶シリコン層及び第2酸化膜を選択的にエッチング除去して第2単結晶シリコン層と第2酸化膜とからなるスペーサ層24を形成する。第1単結晶シリコン層を選択的にエッチング除去して、第2シリコンウェーハと第1酸化膜と単結晶シリコンからなる可動電極26と単結晶シリコンからなる固定電極27,28とスペーサ層とを有する構造体25を形成する。構造体をスペーサ層24を介してガラス基板10に接合する。第2シリコンウェーハと第1酸化膜を順次エッチング除去して半導体慣性センサ30を得る。

Claim (excerpt)：

両面にシリコンを浸食せずにエッチング可能な第1膜(41)を有する第1シリコンウェーハ(21)に第2シリコンウェーハ(22)を貼り合わせる工程と、前記第1シリコンウェーハ(21)の片面を所定の厚さに研磨して第1単結晶シリコン層(51)を形成する工程と、両面にシリコンを浸食せずにエッチング可能な第2膜(42)を有する第3シリコンウエーハ(23)を前記第1単結晶シリコン層(51)に貼り合わせる工程と、前記第3シリコンウェーハ(23)の片面を所定の厚さに研磨して第2単結晶シリコン層(52)を形成する工程と、第2単結晶シリコン層(52)及びその下側の第2膜(42)を選択的にエッチング除去して前記第1単結晶シリコン層(51)を露出させ、残留した第2単結晶シリコン層(52)と第2膜(42)とからなるスペーサ層(24)を形成する工程と、前記露出した第1単結晶シリコン層(51)を選択的にエッチング除去し、これにより前記第1膜(41)上に単結晶シリコンからなる可動電極(26)を形成し、かつ前記第1膜(41)上において前記可動電極(26)の両側に位置して前記スペーサ層(24)に接続する単結晶シリコンからなる一対の固定電極(27,28)を形成する工程と、前記第2シリコンウェーハ(22)と前記第1膜(41)と前記可動電極(26)と前記固定電極(27,28)と前記スペーサ層(24)とを有する構造体(25)を前記可動電極(26)がガラス基板(10)に対向するように前記スペーサ層(24)を介してガラス基板(10)に接合する工程と、前記第2シリコンウェーハ(22)を前記第1膜(41)をエッチストップ層としてエッチング除去する工程と、前記第1膜(41)をエッチング除去することにより前記一対の固定電極(27,28)と前記固定電極(27,28)に挟まれかつ前記ガラス基板(10)の上方に浮動する前記可動電極(26)とを有する半導体慣性センサ(30)を得る工程とを含む半導体慣性センサの製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/84 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04

FI (3)：

H01L 29/84 Z ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04