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J-GLOBAL ID：200903042607276188

ウェハ研磨剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法

Inventor： 林 幹司
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997009932
Publication number (International publication number)：1998209092
Application date： Jan. 23, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【目的】 ブランケットタングステン(W)を化学機械研磨(CMP)してWプラグを形成する際に、プラグロスと酸化膜上でのマイクロスクラッチの発生を防止できる研磨剤を提供する。【構成】 平均一次粒子径40〜110nmのシリカ、0.01〜0.03mol/lのNH4 OH、および有機系酸化剤を含有することを特徴とするW-CMP用のウェハ研磨剤である。好ましくは、pHが8.0〜8.5に設定され、また、酸化還元電位(ORP)は+550〜650mV(液温23°C)に設定される。

Claim (excerpt)：

平均一次粒子径40〜110nmのシリカ、0.01〜0.03mol/lのNH4 OH、および有機系酸化剤を含有することを特徴とする化学機械研磨用のウェハ研磨剤。

IPC (2)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00

FI (2)：

H01L 21/304 321 P ,  B24B 37/00 H