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J-GLOBAL ID：200903042617663139

イオン源装置およびそのイオン源装置を備えたイオン打ち込み装置

Inventor： 登木口 克己 ,  雨宮 健介 ,  伊藤 純也 ,  作道 訓之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 富田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993076824
Publication number (International publication number)：1994290725
Application date： Apr. 02, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】高エネルギーイオン打込み装置用のイオン源装置において、ビーム電流を損ねることなくビームのエミッタンスを独立に制御できるイオン源装置を提供する。【構成】イオン源装置において、ミラー磁場強度比を変えられるプラズマ室10に、別のプラズマ源4からのプラズマを導入し、且つプラズマ室10の磁場強度最大点近傍にイオンビーム引出し電極6を設ける。【効果】イオン源装置からの引出しイオンビームのエミッタンスを、イオン源装置運転パラメータとは独立に調整できたため、低エミッタンスのイオン源装置を提供できるばかりでなく、イオン打込み装置に適用することで、打込み電流の増大が図れ、広い加速エネルギー範囲で、mA以上の大電流MeV級ビームのイオン打ち込み装置を提供することができた。

Claim (excerpt)：

イオンを発生するプラズマ発生源を有するイオン源装置において、前記プラズマ発生源と隣接し、イオンの引出側に配置され、発生したイオンを導入し、引き出されるイオンビームのエミッタンスを調整する調整部を有し、前記調整部は、同一軸上に少なくとも2個の空心コイルを離して設置し、発生磁力線が同一方向となるように励磁して、前記プラズマ発生源から導入したイオンを閉じ込めるための第1のミラー磁場を形成する手段と、その磁場強度あるいは磁力線分布の少なくとも一方を変えることで当該第1のミラー磁場強度比を変更する手段とを備えることを特徴とするイオン源装置。

IPC (5)：

H01J 37/08 ,  C23C 14/48 ,  H01J 27/18 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/265

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-132145
  
• 特開平4-338639
  
• 特開平2-114433