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J-GLOBAL ID：200903042618643352

分布帰還型半導体レーザおよび半導体レーザアレイ

Inventor： 中村 厚 ,  岡井 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994172202
Publication number (International publication number)：1996037342
Application date： Jul. 25, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】 アナログ通信用DFBレーザの低歪歩留まりの向上および後方出力に対する前方出力の均一性の向上。【構成】 誘導放出光(レーザ光33)を発生する活性層9と、周期的な利得の攝動を生じさせる回折格子32(吸収型回折格子35)を有する利得結合型の分布帰還型半導体レーザである。半導体レーザ(半導体レーザチップ)の前方光を出射する前方端面は劈開面となり、反射率は32%となっている。また、後方光を出射する後方端面には反射率が90%となる高反射膜が形成されている。また、規格化結合係数κLの利得結合成分κg Lを0.5とし、屈折率結合成分κiLの絶対値を0.3以下とさせる。【効果】 利得結合型DFBレーザにおける低歪歩留まりの向上(60%程度)および後方出力に対する前方出力の均一性の向上が達成できた。

Claim (excerpt)：

利得の周期的な攝動を生じさせる吸収型回折格子を共振器Lに沿って有する利得結合型の分布帰還型半導体レーザであって、前記吸収型回折格子を前記共振器全体または一部に設けるとともに、一方の回折格子端でのエネルギーに対する実効的な反射率が70乃至93%程度であり、かつ他の回折格子端でのエネルギーに対する実効的な反射率が30乃至70%程度であることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/25