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J-GLOBAL ID：200903042638978318

パターン形成方法

Inventor： 酒井 伊都子 ,  岡野 晴雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993225333
Publication number (International publication number)：1995086125
Application date： Sep. 10, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 基板上に微細なパターンを効率よく形成することが可能なパターン形成方法を提供しようとするものである。【構成】 基板に少なくとも重合触媒を含む官能基Xと前記基板と反応する官能基Yとを持つ分子を供給し、前記基板に前記官能基Yを反応させることにより前記分子を化学吸着させて吸着層を形成する工程と、前記吸着層に集束電子ビームを選択的に照射して照射領域の前記官能基Xを選択的に除去するか、もしくは選択的に不活性化する工程と、前記基板にモノマーを供給して未照射領域の前記吸着層にモノマーを選択的に重合させて高分子膜を形成する工程とを具備したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板に少なくとも重合触媒を含む官能基Xと前記基板と反応する官能基Yとを持つ分子を供給し、前記基板上で前記官能基Yを反応させることにより前記分子を化学吸着させて吸着層を形成する工程と、前記吸着層に集束電子ビームを選択的に照射して照射領域の前記官能基Xを選択的に除去するか、もしくは選択的に不活性化する工程と、前記基板にモノマーを供給して未照射領域の前記吸着層にモノマーを選択的に重合させて高分子膜を形成する工程とを具備したことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/38 512

FI (2)：

H01L 21/30 541 P ,  H01L 21/30 502 R