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J-GLOBAL ID：200903042639537943

半導体基板のエツチング方法およびその装置

Inventor： 柴田 滋
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991259034
Publication number (International publication number)：1993102124
Application date： Oct. 07, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【構成】アルカリ水溶液とアルコールとからなるエッチャント(エッチング液)10を入れたエッチング槽11内でウェハー5をエッチングするもので、側面に複数個の羽根車3をもつ回転部4を有したエッチングキャリア1にウェハー5を配置収容し、羽根車3にエッチャント10の一部をポンプ9により排出して回転部4を回転させ、エッチャント10の全体をかく拌しながらウェハー5をエッチングする。【効果】エッチャントをかく拌してエッチャントの上部と下部の間のエッチング速度の差をなくし、エッチング後のウェハー内部における単結晶島の角部の侵食ばらつきをなくし、歩留りを向上させる。

Claim (excerpt)：

アルカリ水溶液とアルコールとからなるエッチング液を充填したエッチング槽内で半導体基板をエッチングする方法において、側面に複数個の羽根車をもつ回転部を有したエッチングキャリアに前記側面に面して前記半導体基板の面を配置収容し、前記羽根車に前記エッチング液の一部を排出して前記回転部を回転させて前記エッチング液の全体をかく拌しながら前記半導体基板をエッチングすることを特徴とする半導体基板のエッチング方法。