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J-GLOBAL ID：200903042644428273

薄膜トランジスタ素子とその製造方法及び液晶表示装置

Inventor： 太田 益幸 ,  高畠 勝 ,  長江 慶治 ,  青山 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991218329
Publication number (International publication number)：1993055257
Application date： Aug. 29, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 真空装置を用いることなく電極を形成すること。【構成】 ガラス基板1上に形成された導電層2と、導電層2上に形成されたアモルファスシリコン活性層3と、アモルファスシリコン活性層3上にゲート絶縁膜4を介して形成されたゲート電極5と、アモルファスシリコン活性層3上にn+型アモルファスシリコン7を介して形成されたドレイン電極9a,9bを備え、各電極が直流めっき法によって析出されている。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された導電層と、導電層上に積層された半導体活性層と、半導体活性層上に積層されてドープ用元素を含む一対の半導体層と、半導体活性層上に絶縁層を介して積層されたゲート電極と、一方の半導体層上に積層されたドレイン電極と、他方の半導体層上に積層されたソース電極とを備えている薄膜トランジスタ素子。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 29/78 311 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭58-090782
  
• 特開平3-196567
  
• 特開平1-128573
  
• 特開昭60-014473
  
• 特開昭52-069283
  
• 特開昭59-031041