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J-GLOBAL ID：200903042644888118

赤外線検出装置

Inventor： 西野 弘師
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999126019
Publication number (International publication number)：2000323742
Application date： May. 06, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 赤外線検出装置に関し、信号電流の大きさに影響を与えることなく暗電流を低減することを目的とする。【解決手段】 障壁層と井戸層を交互に複数積層した多重量子井戸層内での電子のサブバンド間遷移を利用して赤外線の強度を検出する赤外線検出装置において、下部コンタクト層1と、下部コンタクト層1上に形成された下部多重量子井戸層2と、下部多重量子井戸層2上に形成された中間コンタクト層3と、中間コンタクト層3上に形成された上部多重量子井戸層4と、上部多重量子井戸層4上に形成された上部コンタクト層5を備え、下部多重量子井戸層2は上部多重量子井戸層4に比べて障壁層のエネルギーバリヤが大きく且つ井戸層の不純物濃度が高くなるように構成する。

Claim (excerpt)：

障壁層と井戸層を交互に複数積層した多重量子井戸層内での電子のサブバンド間遷移を利用して赤外線の強度を検出する赤外線検出装置において、下部コンタクト層と、該下部コンタクト層上に形成された下部多重量子井戸層と、該下部多重量子井戸層上に形成された中間コンタクト層と、該中間コンタクト層上に形成された上部多重量子井戸層と、該上部多重量子井戸層上に形成された上部コンタクト層を備え、該下部多重量子井戸層は該上部多重量子井戸層に比べて障壁層のエネルギーバリヤが大きく且つ井戸層の不純物濃度が高いことを特徴とする赤外線検出装置。

F-Term (16)：

5F049MA01 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NB03 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049QA16 ,  5F049RA04 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ13 ,  5F049SZ16 ,  5F049WA01