Pat

J-GLOBAL ID：200903042651510899

Bi系酸化物超電導体の製造方法

Inventor： トルン・ディン・タン ,  芳野 久士
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992245115
Publication number (International publication number)：1994092717
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高Tc 相を90% 以上というように高い比率で含有するBi系酸化物超電導体を、短時間焼成で再現性よく作製することを可能にしたBi系酸化物超電導体の製造方法を提供する。【構成】 Bi系酸化物超電導体またはその原料を、所定の温度で焼成するにあたり、焼成温度までの昇温過程の雰囲気中の酸素分圧を 3×10-2atm 以下とすると共に、焼成温度による保持過程の雰囲気中の酸素分圧を 5×10-2atm 〜 1.5×10-1atm の範囲とする。

Claim (excerpt)：

Bi系酸化物超電導体またはその原料を、所定の温度で焼成するにあたり、前記焼成温度までの昇温過程の雰囲気中の酸素分圧を 3×10-2atm 以下とすると共に、前記焼成温度による保持過程の雰囲気中の酸素分圧を 5×10-2atm 〜1.5×10-1atm の範囲とすることを特徴とするBi系酸化物超電導体の製造方法。

IPC (7)：

C04B 35/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 29/00 ZAA ,  C04B 35/64 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平4-175225
  
• 特開平3-040954
  
• 特開平2-243519
  
• 特開平4-175225
  
• 特開平3-040954
  
• 特開平2-243519