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J-GLOBAL ID：200903042652179819

半導体装置

Inventor： 犬塚 肇 ,  寒川 佳江 ,  鈴木 康利 ,  水野 幸樹
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994051376
Publication number (International publication number)：1995235659
Application date： Feb. 23, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】高信頼性の電極部分を有する複合集積回路半導体装置を実現する。【構成】図1は、GaAs/Si複合集積回路(ホールIC)100の模式的断面図で、保護膜のSiO2膜4の一部が開口され、Si表面上に直接GaAs動作層3がエピタキシャル成長で形成されている。GaAs動作層3保護のSi3N4 層8にコンタクト孔があり、底部分にGaAs用オーミック電極材料のAu-Ge 合金層5、その上にAu層6が形成され、Al配線9とAu層6との間に、モリブデン(Mo)などの 450°C程度ではAuやAlと反応しない導体材料をバリア層7として挿入させる。そのためコンタクト部分の形成後に加熱処理を実施してもAu-Al の反応物は生成せず、コンタクト抵抗率の増大が防止される。

Claim (excerpt)：

Si集積回路上に、Si以外の材料から成る動作層を形成した複合材料集積回路を有する半導体装置において、前記Si集積回路の配線材料としてAlまたはAlを含んだ合金を使用し、前記Si以外の材料から成る動作層の電極材料としてAuまたはAuを含んだ合金を使用し、両合金の接続部に、集積回路の作製工程の最高温度以下でAuおよびAlの双方と合金を形成しない導体層を挿入したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 29/46 H ,  H01L 21/88 N ,  H01L 29/46 R