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J-GLOBAL ID：200903042661476648

高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット

Inventor： 塩野 一郎 ,  渡辺 和男 ,  丸山 仁 ,  三島 昭史 ,  森 暁 ,  小田 淳一
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 富田 和夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997114614
Publication number (International publication number)：1998182151
Application date： May. 02, 1997
Publication date： Jul. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 スパッタリング時に割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 BaおよびTiの複合酸化物、SrおよびTiの複合酸化物またはBa、SrおよびTiの複合酸化物からなる焼結体の表面を研削して得られたスパッタリングターゲットにおいて、円板状ターゲット表面に形成された研削傷4は、円板状ターゲットの表面を含む平面の任意の点から放射状に流れていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

BaおよびTiの複合酸化物、SrおよびTiの複合酸化物またはBa、SrおよびTiの複合酸化物からなる焼結体の表面を研削して得られた円板状ターゲットにおいて、円板状ターゲット表面に形成された研削傷は、円板状ターゲットの表面を含む平面の任意の点から放射状に流れていることを特徴とする高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (8)：

C01G 23/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 3/12 303 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6)：

C01G 23/00 Z ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/34 B ,  H01B 3/12 303 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651