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J-GLOBAL ID：200903042667651735

プラズマ処理装置

Inventor： 冨岡 和広 ,  堀岡 啓治
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994048424
Publication number (International publication number)：1995263413
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、大面積の被処理体を処理する場合でも被処理体に損傷を与えることなく処理速度を速くしてプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【構成】被処理体12を収容する処理容器11内を真空排気する排気手段17と、処理容器11に取り付けられており、処理容器11内に処理ガスを導入するガス導入手段18と、処理容器11内に磁場を印加する磁場印加手段19a,bと、処理容器11に取り付けられており、処理容器11内の少なくとも2つの特定部位の電位を測定する電位測定手段21a,bと、処理容器11内に電界を印加する電界印加手段と、少なくとも2つの特定部位の電位に基づいて処理容器11内に印加される磁場を調整させる磁場調整手段22,23,24とを具備し、処理容器11内に電界を印加することによりプラズマを発生させ、プラズマを用いて被処理体12を処理することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

被処理体を収容する処理容器内を真空排気する排気手段と、前記処理容器に取り付けられており、前記処理容器内に処理ガスを導入するガス導入手段と、前記処理容器内に磁場を印加する磁場印加手段と、前記処理容器に取り付けられており、前記処理容器内の少なくとも2つの特定部位の電位を測定する電位測定手段と、前記処理容器内に電界を印加する電界印加手段と、前記少なくとも2つの特定部位の電位に基づいて前記処理容器内に印加される磁場を調整させる磁場調整手段とを具備し、前記処理容器内に電界を印加することによりプラズマを発生させ、プラズマを用いて前記被処理体を処理することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/35 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/31 C