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J-GLOBAL ID：200903042690052237

SOI基板の製造方法

Inventor： 畠山 哲夫
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993031698
Publication number (International publication number)：1994244388
Application date： Feb. 22, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 張り合わせSOI基板の製造方法を提供する。【構成】 第1のシリコンウェーハ1を高温の水素雰囲気中でアニールした後、酸化膜2を形成する工程と、該第1のシリコンウェーハ1の一方の面の酸化膜2を除去する工程と、前記第1のシリコンウェーハ1の残存した酸化膜2を張り合わせ面として第2のシリコンウェーハ3を張り合わせて、該張り合わせ面と反対側の面に電圧を印加して接着させる工程と、前記第1のシリコンウェーハ1のシリコン層の厚さを減じて薄膜シリコン層8を形成する工程と、から構成することにより、絶縁破壊を生じない張り合わせSOI基板の製造を可能とする。

Claim (excerpt)：

第1のシリコンウェーハを高温の水素雰囲気中でアニールした後、酸化膜を形成する工程と、該第1のシリコンウェーハの一方の面の酸化膜を除去する工程と、前記第1のシリコンウェーハの残留した酸化膜を張り合わせ面として第2のシリコンウェーハを張り合わせて、該張り合わせ面と反対側の面に電圧を印加して接着させる工程と、前記第1のシリコンウェーハのシリコン層の厚さを減じて薄膜シリコン層を形成する工程と、からなることを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02