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J-GLOBAL ID：200903042698150823

多層セラミック基板

Inventor： 西村 弘治 ,  徳永 裕美 ,  黒田 正二
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992179599
Publication number (International publication number)：1994024857
Application date： Jul. 07, 1992
Publication date： Feb. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】 導体、抵抗体等の電子回路を多層に形成する多層配線に良好な多層セラミック基板の提供を目的とする。【構成】 内部電極1を有する多層基板の、内部電極が介在するセラミック層2の構造が、セラミック保護層3の構造と異なる多層セラミック基板であり、さらに内部電極1を有する多層基板の、内部電極が介在するセラミック層2のセラミック組成が、セラミック保護層3のセラミック組成と異なる多層セラミック基板である。【効果】 750〜950°Cで焼成でき、Au、Ag、Ag-Pd、Cu等を内部電極として使用することが可能な、しかも体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等、導体、抵抗体等の電子回路を多層に形成する多層配線基板としての諸特性を満足し、さらに、TCCが±0ppm/°C〜100ppm/°Cと調整が容易である。

Claim (excerpt)：

内部電極を有する多層セラミック基板の、内部電極が介在するセラミック層の構造が、前記セラミック層近傍に位置するセラミック保護層の構造と異なることを特徴とする多層セラミック基板。

IPC (4)：

C04B 38/00 303 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/13 ,  H01L 23/15

FI (3)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 C ,  H01L 23/14 C