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J-GLOBAL ID：200903042706777946

光励起エッチング方法

Inventor： 渡辺 明禎 ,  皆川 重量 ,  田中 俊明 ,  内田 憲治 ,  赤松 正一 ,  後藤 順 ,  百瀬 正之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995016048
Publication number (International publication number)：1996213358
Application date： Feb. 02, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】エッチング速度が十分大きく、再現性にすぐれ、平坦なエッチング表面を得ることができ、かつ、常温で実施できる窒化物系化合物半導体のエッチング方法を提供する。【構成】窒化物系化合物半導体を、アルカリを主として含むエッチング液中に浸漬し、エッチすべき表面の所望部分に、上記窒素系化合物半導体のエネルギギャップより大きなエネルギを有する光を照射してエッチングを促進させる。【効果】室温付近の溶液によってエッチングでき、再現性およびエッチ面の平坦性は良好で、作業の安全性も向上し、さらにマスクレス選択エッチングも可能になった。

Claim (excerpt)：

構成元素として窒素を含むIII-V族半導体をエッチング液中に浸漬し、上記III-V族半導体のエッチングすべき部分に、上記III-V族半導体のエネルギギャップより大きなエネルギを有する光を照射して、上記光が照射された部分のエッチング速度を増大させることを特徴とする光励起エッチング方法。