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J-GLOBAL ID：200903042707531800
半導体装置の製造方法および半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996190801
Publication number (International publication number)：1998041313
Application date： Jul. 19, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】 FZ拡散シリコンウェーハの高比抵抗層の比抵抗の低下を回復させ、500°C前後の熱処理を行なっても比抵抗が1000Ωcm以下に低下しないようにする。これにより高速応答の受光素子を得る。【解決手段】 FZ拡散シリコンウェーハに1200°C付近で3〜8時間の高温熱処理を行なった後、500°Cから1000°C付近まで徐々に温度を上げた後、徐々に温度を下げる低温熱処理を行なう。
Claim (excerpt)：
FZ法により製造された高比抵抗のシリコンウェーハの一方の面に低比抵抗の拡散層を形成したFZ拡散シリコンウェーハを用いた半導体装置の製造方法において、前記のFZ拡散シリコンウェーハを、1200°C±50°Cの温度で3〜8時間の高温の熱処理を行なった後、500°C±50°Cから0.1°C〜5°C/分の率で1000°C±50°Cまで温度を上げ、次に0.1°C〜5°C/分の率で850°C±50°Cまで温度を下げる低温の熱処理を行なう工程を、電極形成工程の前に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/324 Z
, H01L 31/10 A
