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J-GLOBAL ID：200903042708765066

熱処理装置

Inventor： 齋藤 幸正 ,  山本 博之
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 木村 満 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998346393
Publication number (International publication number)：2000174007
Application date： Dec. 07, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】 複数種類の薄膜を成膜し、反応副生成物を除去する熱処理装置を提供する。【解決手段】 反応管11は、TEOSの分解によりシリコン酸化膜を形成し、アンモニアとジクロロシランの反応によりシリコン窒化膜を形成する。排気管63には、ホットディスクトラップTRP1、コンビネーションバルブCV、切替トラップTRP2が配置される。排気管63とディスクトラップTRP1とコンビネーションバルブCVとは加熱されている。ディスクトラップTRP1は、シリコン酸化膜生成時の副生成物CxHyを捕集する。シリコン窒化膜生成時の副生成物NH4Clは、加熱されたディスクトラップTRP1やコンビネーションバルブCVに付着することなく、切替トラップTRP2で冷却されて捕集される。コンビネーションバルブCVは、反応副生成物が付着することなく、コンダクタンスを制御して、排気管63内を所定圧力に維持する。

Claim (excerpt)：

被処理体を収納可能な反応室と、前記反応室に接続された排気管を有し、当該反応室内のガスを排出するための排気手段と、前記排気手段に接続され、前記排気管内の反応副生成物を捕集する複数のトラップ手段と、前記排気管を加熱する加熱手段と、前記複数のトラップ手段の間に介在されており、前記排気管の管路の開度を制御することにより、排気管内を所定圧力に維持する圧力制御手段と、を備えることを特徴とする熱処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (2)：

H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 X

F-Term (36)：

5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE19 ,  5F045DC51 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB05 ,  5F045EB06 ,  5F045EB12 ,  5F045EC02 ,  5F045EC09 ,  5F045EF08 ,  5F045EG02 ,  5F045EG08 ,  5F045EJ01 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK06 ,  5F045EM10 ,  5F045GB06 ,  5F045GB15 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF25 ,  5F058BF30 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01