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J-GLOBAL ID：200903042712616784

メモリ素子およびその製造方法

Inventor： 井上 敦央
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003347080
Publication number (International publication number)：2005116682
Application date： Oct. 06, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：

【課題】 大量に集積することが容易で、安価に実現可能であり、しかも信頼性の高いメモリ素子とその製造技術を提供すること。【解決手段】 前記の課題を解決するためになされた本発明のメモリ素子では、基板に配置された第1の電極と、該第1の電極上に配置された、メモリ機能を有する有機化合物を含む層が微粒子の表面に形成された複合微粒子と、該複合微粒子を介して配置された第2の電極から構成されることを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1の電極と、該第1の電極上に配置された、メモリ機能を有する有機化合物を含む層が微粒子の表面に形成された複合微粒子と、該複合微粒子を介して配置された第2の電極から構成されることを特徴とするメモリ素子。

IPC (2)：

H01L27/10 ,  H01L51/00

FI (2)：

H01L27/10 451 ,  H01L29/28

F-Term (9)：

5F083FZ07 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 強誘電体メモリ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-314508   Applicant：オリンパス光学工業株式会社