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J-GLOBAL ID：200903042715078210

半導体装置

Inventor： 上田 和宏
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995096428
Publication number (International publication number)：1996293578
Application date： Apr. 21, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】 パワー部に生じる磁界の影響を減じて誤動作や破壊等を低減させた半導体装置を提供する。【構成】 本体21内の上下に離間配置したパワー部27と制御部29との間、及び本体21内面に磁気遮断材料もしくは磁気吸収材料でなる磁界不透過部材26a,26b,26c,26dを設けることで、パワー部27に流れる主電流によって形成された磁界が磁界不透過部材26a,26b,26c,26dによって遮断もしくは吸収され、パワー部27外に漏れ出なくなったり、あるいは制御部29にパワー部27を含む外からの磁界が及ばなくなっている。このため、制御部29が磁界の影響を受けて誤動作したり、この誤動作でパワー部27のパワートランジスタ等が破壊したりすることがなくなる。

Claim (excerpt)：

パワー部と、このパワー部の動作を制御する制御部とを設けてなる半導体装置において、前記パワー部と前記制御部とを離間して配置すると共に、前記パワー部と前記制御部との間に磁界不透過部材を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 25/00 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H05K 9/00

FI (3)：

H01L 25/00 B ,  H05K 9/00 H ,  H01L 25/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-206973
  
• 特開平4-233269
  
• 半導体パワーモジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-172774   Applicant：三菱電機株式会社