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J-GLOBAL ID：200903042721521206

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 糸長 総一郎 ,  山田 隆順
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003014566
Publication number (International publication number)：2004228351
Application date： Jan. 23, 2003
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：

【課題】熱凝集が抑制され低抵抗で、且つ、ゲート電極の寸法に依存しない均一な膜厚のシリサイド膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜2上に第1のポリシリコン膜3aと第2のポリシリコン膜4aの積層膜で構成されたゲート電極6aと、第1のポリシリコン膜3bと第2のポリシリコン膜4bの積層膜で構成されたゲート電極6bを形成する。その後、ゲート電極6a、6bの側面上にサイドウォール7を形成した後、高濃度ソース・ドレイン領域8を形成する。その後、コバルト膜9を堆積した後、第1のRTAを施し、コバルトリッチな第1のコバルトシリサイド膜10a、10b、10cを形成する。その後、コバルト膜9を除去した後、第2のRTAを行い、第1のコバルトシリサイド膜10a、10b、10cを構造的に安定な第2のコバルトシリサイド膜11a、11b、11c(CoSi2膜)に変換する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、 前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極と、 前記第1のゲート電極上に形成された第1のシリサイド膜とを備え、 前記第1のゲート電極は、前記ゲート絶縁膜上に形成された第1のポリシリコン膜と、前記第1のポリシリコン膜上に形成されたシリサイド反応を抑制する第1のシリサイド化反応抑制層とを有し、 前記第1のシリサイド膜は、前記第1のシリサイド化反応抑制層上に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

FI (5)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301D ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/58 G ,  H01L27/08 102C

F-Term (63)：

4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD22 ,  4M104DD24 ,  4M104DD65 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104DD84 ,  4M104DD88 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF14 ,  4M104FF19 ,  4M104GG09 ,  4M104HH05 ,  4M104HH16 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BD10 ,  5F048BF06 ,  5F048DA25 ,  5F140AA01 ,  5F140AA10 ,  5F140BA01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF13 ,  5F140BF18 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BF38 ,  5F140BG05 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG30 ,  5F140BG32 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-316268   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-012282   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-328835   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-273624   Applicant：FASLJAPAN株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-055407   Applicant：富士通株式会社
• 特開平2-025072
  
• 特開平1-103873
  
• 特開昭63-289867