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J-GLOBAL ID：200903042730314930
磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
秋本 正実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995239941
Publication number (International publication number)：1997091623
Application date： Sep. 19, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：
【要約】【目的】 磁気抵抗効果(MR)素子形成からMRヘッドを装置に搭載するまでの静電破壊を防止し、MRヘッドおよび記録再生分離型磁気ヘッドを高い歩留まりで作製可能にする磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法を提供すること。【構成】 外部と接続する電極27と電気的に接続する上部シールド膜23及び下部シールド膜22とを、MR素子21を介さずに短絡する短絡回路26を設けて素子形成過程等に発生する静電気を短絡回路26を介して流すことにより、MR素子の破壊及び磁気抵抗効果素子と両シールド膜間の絶縁破壊を防止する。また基板からのスライダー切り出し後には上部及び下部シールド膜23及び22とを抵抗24及び25を介して短絡する短絡部26を設けたことにより、基板切断後の組立工程並びに搬送工程等に発生する静電気による磁気抵抗効果素子の破壊及び磁気抵抗効果素子と両シールド膜間の絶縁破壊を防止することがでる。
Claim (excerpt)：
磁気抵抗効果膜及びバイアス膜とからなる磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の外部磁界変化による抵抗値の変化を検出するための2つの電極と、これら磁気抵抗効果素子及び2つの電極を挟持する上部シールド膜及び下部シールド膜とを備える磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子を介さずに2つの電極間を短絡する短絡回路を設けたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Patent cited by the Patent：
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