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J-GLOBAL ID：200903042768654182

炭素含有タングステン金属の超伝導細線の製造方法

Inventor： 平田 和人 ,  エル ハジ サドキ ,  大井 修一
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004250333
Publication number (International publication number)：2006063424
Application date： Aug. 30, 2004
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：

【目的】 ナノサイズの超伝導細線を簡便に作製する。【構成】 炭素原子を含むタングステン有機金属ガスを収束イオンビームまたは電子線により分解し、タングステン金属を直接基板上に堆積させ、描画するとともに、その際に、タングステン有機金属ガス中の炭素原子をタングステン金属に含有させる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

炭素原子を含むタングステン有機金属ガスを収束イオンビームまたは電子線により分解し、タングステン金属を直接基板上に堆積させ、描画するとともに、その際に、タングステン有機金属ガス中の炭素原子をタングステン金属に含有させることを特徴とする炭素含有タングステン金属の超伝導細線の製造方法。

IPC (4)：

C23C 16/48 ,  C23C 16/18 ,  H01B 13/00 ,  H01L 39/24

FI (4)：

C23C16/48 ,  C23C16/18 ,  H01B13/00 561Z ,  H01L39/24 F

F-Term (14)：

4K030AA11 ,  4K030BA20 ,  4K030CA01 ,  4K030CA13 ,  4K030FA12 ,  4M113AC06 ,  4M113BA15 ,  4M113BA28 ,  4M113BC01 ,  4M113CA12 ,  4M113CA41 ,  5G321AA98 ,  5G321DA99 ,  5G321DD99

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• FIBをガスが供給される基板表面に照射して超電導膜を成膜する方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-216835   Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社, 独立行政法人物質・材料研究機構
• 特開平3-126836
  
• 特開平3-126836