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J-GLOBAL ID：200903042772554931

エッチング方法および装置

Inventor： 渡辺 啓仁 ,  京極 光祐
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社 ,  日本エー・エス・エム株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992327907
Publication number (International publication number)：1994181188
Application date： Dec. 08, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 特定膜質の酸化膜のみを選択的に除去する気相HFエッチング方法とエッチング装置を提供する。【構成】 排気口32に接続する真空ポンプにより減圧状態に保たれた内部反応管12にエッチング用HFガスが加熱され供給される。この時、フランジ14には複数のウェハー23を積層状に保持するためのボート18が載せられる。このウェハー上に膜質の異なる酸化膜が存在した場合、特定膜質の酸化膜のみを選択エッチングする。

Claim (excerpt)：

HFガスあるいはHF/H2 Oガスを含むエッチングガスでウェハー上のシリコン酸化膜のエッチングを室温で行うエッチング方法において、シリコン酸化膜の膜質や膜中不純物に起因するエッチングレート差を大きくし選択的に特定膜質の酸化膜エッチングを行うため、エッチングガスを減圧状態にし、一定の水分分圧以下に保つことを特徴とするエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-296021
  
• 特開平3-204930