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J-GLOBAL ID：200903042773234752
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994014188
Publication number (International publication number)：1995221351
Application date： Feb. 08, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置及びその製造方法に関し、半導体装置が十分な性能を表すことができるように、高い冷却効果或いは加熱効果を発揮できるペルチェ素子を組み込んだ半導体装置を実現しようとする。【構成】 Si半導体基板71上に形成された多面体突起71Aに於ける複数の面をそれぞれ独立に且つ隣り合うようにn型半導体膜75及びp型半導体膜76で覆い、前記複数の面をそれぞれ独立に且つ隣り合って覆うn型半導体膜75及びp型半導体膜76に於ける一端の間を結ぶように吸熱電極74を形成し、n型半導体膜75及びp型半導体膜76の他端にそれぞれ独立して発熱電極77が形成されたペルチェ素子が作り込まれている。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された多面体突起に於ける複数の面をそれぞれ独立に且つ隣り合って覆うn型熱電材料膜及びp型熱電材料膜と、前記複数の面をそれぞれ独立に且つ隣り合って覆うn型熱電材料膜及びp型熱電材料膜に於ける一端の間を結んで形成された導電材料膜と、前記一端の間を導電材料膜で結ばれたn型熱電材料膜及びp型熱電材料膜の他端にそれぞれ独立して形成された導電材料膜とを備えたペルチェ素子が作り込まれてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 35/28
, G01K 7/02
, H01L 23/38
