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J-GLOBAL ID:200903042773869863
窒化炭素単結晶膜被覆部材及び製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
川瀬 茂樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995352568
Publication number (International publication number):1997184062
Application date: Dec. 29, 1995
Publication date: Jul. 15, 1997
Summary:
【要約】【課題】 新規物質である窒化炭素は多結晶のものしか得られていない。単結晶のC3 N4 薄膜を合成する方法を提供する事が目的である。【解決手段】 単結晶基板の上に、Si3 N4 の単結晶薄膜を製作する。その上にC3 N4 薄膜を合成する。Si3 N4 の作用によってC3 N4 単結晶薄膜を作製できる。またα型とβ型のC3 N4 を区別して自在に作製できる。
Claim (excerpt):
単結晶基板上に中間層として窒化珪素単結晶膜が形成され、前記窒化珪素単結晶膜上に窒化炭素単結晶膜が形成された構造を持つ事を特徴とする窒化炭素単結晶膜被覆部材。
IPC (3):
C23C 14/06
, C23C 16/36
, C30B 29/38
FI (3):
C23C 14/06 A
, C23C 16/36
, C30B 29/38 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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窒化炭素配向膜被覆部材及び製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-352602
Applicant:住友電気工業株式会社
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