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J-GLOBAL ID：200903042774680950

露光マスクおよびその製造方法、ならびに転写パターンの形成方法

Inventor： 鏡 一郎
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002050892
Publication number (International publication number)：2003248296
Application date： Feb. 27, 2002
Publication date： Sep. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 疎密を有する設計パターンを設計データ通りに精度よく形成することが可能な、露光マスクその製造方法、ならびにこの露光マスクを用いた転写パターンの形成方法を提供する。【解決手段】 疎密を有する設計パターン31を基板11上に転写する際に用いる露光マスクであって、設計パターン31とともにこの設計パターン31の疎な領域にダミーパターン32が形成された第1の露光マスク21と、ダミーパターン32の反転パターン33が形成された第2の露光マスク22とからなることを特徴とする露光マスクおよびその製造方法、ならびにこの露光マスクを用いた転写パターンの形成方法である。

Claim (excerpt)：

疎密を有する設計パターンを基板上に転写する際に用いる露光マスクであって、前記設計パターンとともにこの設計パターンの疎な領域にダミーパターンが形成された第1の露光マスクと、前記ダミーパターンの反転パターンが形成された第2の露光マスクとからなることを特徴とする露光マスク。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 D ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 C

F-Term (5)：

2H095BA05 ,  2H095BB01 ,  5F046AA11 ,  5F046AA25 ,  5F046CB17