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J-GLOBAL ID:200903042774680950

露光マスクおよびその製造方法、ならびに転写パターンの形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 船橋 國則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002050892
Publication number (International publication number):2003248296
Application date: Feb. 27, 2002
Publication date: Sep. 05, 2003
Summary:
【要約】【課題】 疎密を有する設計パターンを設計データ通りに精度よく形成することが可能な、露光マスクその製造方法、ならびにこの露光マスクを用いた転写パターンの形成方法を提供する。【解決手段】 疎密を有する設計パターン31を基板11上に転写する際に用いる露光マスクであって、設計パターン31とともにこの設計パターン31の疎な領域にダミーパターン32が形成された第1の露光マスク21と、ダミーパターン32の反転パターン33が形成された第2の露光マスク22とからなることを特徴とする露光マスクおよびその製造方法、ならびにこの露光マスクを用いた転写パターンの形成方法である。
Claim (excerpt):
疎密を有する設計パターンを基板上に転写する際に用いる露光マスクであって、前記設計パターンとともにこの設計パターンの疎な領域にダミーパターンが形成された第1の露光マスクと、前記ダミーパターンの反転パターンが形成された第2の露光マスクとからなることを特徴とする露光マスク。
IPC (3):
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (5):
G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 D ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 C
F-Term (5):
2H095BA05 ,  2H095BB01 ,  5F046AA11 ,  5F046AA25 ,  5F046CB17

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