半導体式圧力センサとその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998085444
Publication number (International publication number)：1999284204
Application date： Mar. 31, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】ダイアフラムを少ない工程で安価に封止し、残留応力による歪みを低減することにより、測定誤差を低減し安価で浮遊容量やリーク電流が少なく良好な特性で安定した信頼度の高い圧力センサ構造を提案する。【解決手段】前記課題を解決するための手段として、半導体基板表面に0.1ないし1.3μmのほぼ一定の空隙で配した、残留応力による変形低減手段である段差構造を有する多結晶シリコンダイアフラムをLPCVD法により堆積した酸化シリコン膜で封止しかつダイアフラムを完全に被覆した。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板表面に固定する足場部分を有し、圧力の変化に応じて変位するダイアフラムと、を備えた半導体式圧力センサにおいて、前記半導体基板表面と前記ダイアフラムとの間を0.1ないし1.3μmのほぼ一定の空隙とし、LPCVD法により堆積された酸化シリコン膜によって、前記空隙を気密封止したことを特徴とする半導体式圧力センサ。

IPC (2)：

H01L 29/84 , G01L 9/04 101

FI (3)：

H01L 29/84 B , H01L 29/84 Z , G01L 9/04 101

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

容量性表面微細加工絶対圧力センサー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-336757 Applicant：フォードモーターカンパニー
特開平4-278464
引張膜利用型ダブル・ピン・センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-165013 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

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