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J-GLOBAL ID：200903042801194354

透明導電膜の成膜方法

Inventor： 渡辺 泰正
Applicant, Patent owner： 株式会社富士電機総合研究所
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992066465
Publication number (International publication number)：1993275727
Application date： Mar. 25, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】ITOにくらべて低コストのZnOの抵抗率を高くしないで透過率を高める。【構成】抵抗率を低くするためにスパッタリングのZnO太陽電池に添加するAl2 O3 の濃度を1重量%以下に抑えると共に、スパッタリング雰囲気のAr中に水素を加えることにより高透過率を達成する。さらに、スパッタリング成膜工程とH2 を含む雰囲気にさらす工程とを交互に繰り返すことにより低抵抗化をはかることができる。

Claim (excerpt)：

0.5重量%〜1重量%の濃度の酸化アルミニウムを含む酸化亜鉛からなるターゲツトを用い、水素を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする透明導電膜の成膜方法。

IPC (8)：

H01L 31/04 ,  C01G 9/00 ,  C03C 17/245 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭62-007169
  
• 特開平2-009983
  
• 特開昭62-295466
  
• 特開昭64-033811
  
• 特開昭59-202360