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J-GLOBAL ID：200903042819927219
ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤村 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002082021
Publication number (International publication number)：2003280168
Application date： Mar. 22, 2002
Publication date： Oct. 02, 2003
Summary：
【要約】【課題】 高精度な転写パターンを転写することが可能なハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。【解決手段】 透明基板上に前記ハーフトーン位相シフター部を形成するためのハーフトーン位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、ハーフトーン位相シフター膜5が、珪素、酸素、及び窒素とから実質的になる材料からなる上層4と、タンタル及びハフニウムとから実質的になる材料からなる下層3とからなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク1。
Claim (excerpt)：
透明基板上に、露光光を透過させる光透過部と、露光光の一部を透過させると同時に透過した光の位相を所定量シフトさせるハーフトーン位相シフター部を有し、前記光透過部とハーフトーン位相シフター部の境界部近傍にて各々を透過した光が互いに打ち消し合うように光学特性を設計することで、被露光体表面に転写される露光パターン境界部のコントラストを良好に保持、改善できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクを製造するために用いるハーフトーン型位相シフトマスクブランクであり、透明基板上に前記ハーフトーン位相シフター部を形成するためのハーフトーン位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記ハーフトーン位相シフター膜が、珪素、酸素、及び窒素とから実質的になる材料からなる上層と、タンタル及びハフニウムとから実質的になる材料からなる下層とからなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
IPC (3)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 G
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 P
2H095BA01
, 2H095BB03
, 2H095BB16
, 2H095BB31
, 2H095BC05
, 2H095BC24
Cited by applicant (3)
Cited by examiner (3)
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