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J-GLOBAL ID:200903042824328978

硫化物シェルを有するカルコゲン化亜鉛半導体超微粒子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001138102
Publication number (International publication number):2002053319
Application date: May. 09, 2001
Publication date: Feb. 19, 2002
Summary:
【要約】【課題】 従来にない高い発光性と化学的安定性、及び有機媒質への優れた溶解性を有する半導体超微粒子を提供する。【解決手段】 カルコゲン化亜鉛結晶コアと硫化物シェルから構成されるコア-シェル粒子であって、該粒子表面に有機配位子が結合されてなる半導体超微粒子。
Claim (excerpt):
カルコゲン化亜鉛結晶コアと硫化物シェルから構成されるコア-シェル粒子であって、該粒子表面に有機配位子が結合されてなる半導体超微粒子。
IPC (3):
C01G 9/00 ,  H01L 29/06 601 ,  H01L 29/221
FI (3):
C01G 9/00 Z ,  H01L 29/06 601 D ,  H01L 29/221
F-Term (4):
4G047AA05 ,  4G047AB02 ,  4G047AC03 ,  4G047AD03

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