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J-GLOBAL ID：200903042825932704

半導体素子および半導体レーザならびにそれらの製造方法

Inventor： 浅野 竹春 ,  朝妻 庸紀 ,  日野 智公 ,  池田 昌夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998208454
Publication number (International publication number)：2000040856
Application date： Jul. 23, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 製造が容易でかつ共振器端面の平坦度を高くすることができる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 サファイアよりなる基板1にバッファ層2を介してGaNよりなる下地層3を形成したのち、下地層3の<1-100>方向に延長された開口部4aを有するマスク層4を介してGaNよりなる被覆成長層5を成長させる。その上にIII族ナイトライド化合物半導体よりなるn型クラッド層7,活性層9,p型クラッド層11などを積層する。共振器方向Bを下地層3の<11-20>方向としてマスク開口延長方向Aと90度異ならせ、共振器方向Bに一対の共振器端面16,17をそれぞれ形成する。よって、発光領域をマスク層4に合わせて位置合わせする必要がない。また、共振器方向Bに位置する共振器端面16,17を劈開により形成することができ、容易に平坦度を高くできる。

Claim (excerpt)：

一方向に延長された開口部を有するマスク層と、このマスク層を介して成長された半導体よりなる被覆成長層と、前記マスク層に対して平行な面において前記マスク層の開口部が延長された方向とは異なった方向に長手方向を有する電極とを備えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01S 5/30 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

F-Term (19)：

5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041FF16 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA32 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29