成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅井章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005177344
Publication number (International publication number)：2006270016
Application date： Jun. 17, 2005
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：

【課題】誘電率が非常に低く且つエッチング耐性が十分に大きな不純物含有シリコン窒化膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】真空引き可能になされた処理容器4内に、シラン系ガスと窒化ガスと不純物含有ガスとを供給して被処理体Wの表面に不純物含有シリコン窒化膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記窒化ガスとを交互に供給すると共に、前記不純物含有ガスを前記シリコン系ガスと同時に供給し、前記窒化ガスはプラズマにより活性化される。これにより、誘電率が非常に低く、且つエッチング耐性が十分に大きな不純物含有シリコン窒化膜を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスと不純物含有ガスとを供給して被処理体の表面に不純物含有シリコン窒化膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記窒化ガスとを交互に供給すると共に、前記不純物含有ガスを前記シラン系ガスと同時に供給し、前記窒化ガスはプラズマにより活性化されることを特徴とする成膜方法。

IPC (2)：

H01L 21/318 , H01L 29/78

FI (2)：

H01L21/318 B , H01L29/78 301N

F-Term (16)：

5F058BC08 , 5F058BC10 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BF32 , 5F058BF37 , 5F058BJ04 , 5F058BJ07 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AC28 , 5F140CC02 , 5F140CC08 , 5F140CC13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

照明装置および液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-192257 Applicant：東芝ライテック株式会社

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