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J-GLOBAL ID：200903042828548514

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 関口 満
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998357532
Publication number (International publication number)：2000183064
Application date： Dec. 16, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 Cu配線のエレクトロマイグレーション特性を向上させる。【解決手段】 (002)配向したTi膜14上にアモルファスのバリア膜10を堆積する。バリア膜がTi(002)に合わせて微結晶化し上層Cu膜11、12の(111)配向性を向上させる。これによりエレクトロマイグレーション特性が向上する。

Claim (excerpt)：

埋め込み配線を有する半導体装置であって、前記埋め込み配線は、(002)配向したTi膜と前記Ti膜上のアモルファス、または微結晶を含む状態のバリア膜、前記バリア膜上の(111)配向したCu膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/3205 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (6)：

H01L 21/88 R ,  C23C 14/06 A ,  C23C 14/06 N ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 A

F-Term (81)：

4K029BA08 ,  4K029BA17 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC37 ,  4K030AA11 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BB04 ,  4K030BB05 ,  4K030HA02 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD15 ,  4M104DD17 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD47 ,  4M104DD52 ,  4M104DD78 ,  4M104DD86 ,  4M104EE12 ,  4M104EE17 ,  4M104FF07 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG13 ,  4M104HH01 ,  4M104HH15 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033KK33 ,  5F033LL07 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033PP20 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ72 ,  5F033QQ84 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT01 ,  5F033XX05 ,  5F033XX09