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J-GLOBAL ID：200903042838759629
プラズマ処理方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993231275
Publication number (International publication number)：1995086250
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】ウエハ温度制御を容易にするとともに、電極構造を簡素化する。【構成】処理室6にガス11を導入してエッチング処理圧力より高い圧力に制御された雰囲気中でウエハ1を試料台21上に載置した後、ウエハを静電吸着して試料台21上に固定し、その後、処理室6内の圧力を処理圧力に制御し、ウエハ1のプラズマ処理を行う。
Claim (excerpt)：
処理圧力より高い圧力の処理室系内で試料台上にウエハを載置する工程と、前記試料台上に前記ウエハを静電吸着した後、前記処理室内を所定の圧力に制御する工程と、前記所定圧力で前記ウエハをプラズマ処理する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065
, H01L 21/68
