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J-GLOBAL ID：200903042857585704

シリコン系薄膜光電変換装置

Inventor： 吉見 雅士 ,  鈴木 孝之 ,  中島 昭彦 ,  山本 憲治
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997099944
Publication number (International publication number)：1998294482
Application date： Apr. 17, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 プラズマCVD法による低温プロセスを用いて形成される結晶質シリコン系薄膜光電変換層における結晶粒界や粒内欠陥を低減し、それによって光電変換特性が改善されたシリコン系薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】 シリコン系薄膜光電変換装置は、基板(101)上に形成された少なくとも1つの光電変換ユニット(111)を含み、その光電変換ユニット(111)は、プラズマCVD法によって順次積層された1導電型半導体層(104)と、結晶質を含むシリコン系薄膜光電変換層(105)と、逆導電型半導体層(106)とを含み、1導電型半導体層(104)は0.01原子%以上の導電型決定不純物原子を含む非晶質シリコン系薄膜を含みかつこの非晶質シリコン系薄膜(104)が光電変換層(105)と直接接していることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された少なくとも1つの光電変換ユニットを含み、前記光電変換ユニットは、プラズマCVD法によって順次積層された1導電型半導体層と、結晶質を含むシリコン系薄膜光電変換層と、逆導電型半導体層とを含み、前記1導電型半導体層は、0.01原子%以上の導電型決定不純物原子を含む非晶質シリコン系薄膜を含みかつこの非晶質シリコン系薄膜が前記光電変換層と直接接していることを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 31/10

FI (3)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 L ,  H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-349586   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平3-219622
  
• 特開平2-159021