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J-GLOBAL ID：200903042857679113

シリコンウエハの研磨方法

Inventor：
村原 正隆

About 村原 正隆


Applicant, Patent owner：
学校法人東海大学

About 学校法人東海大学


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002119578
Publication number (International publication number)：2003318139
Application date： Apr. 22, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】シリコンウエハ上に研磨痕を残すことなく、効率的に高精度研磨を達成し得るシリコンウエハの研磨方法を提供する。【解決手段】シリコンウエハ(13)の被研磨面と紫外光透過性研磨部材(12)との間に酸化剤とフッ化水素を含む水系薄液層(14)を介在させた状態で、研磨部材(12)側から薄液層(14)に紫外光を入射しながら、シリコンウエハ(13)の被研磨面と研磨部材(12)を相対的に摺動させて、シリコンウエハ(13)の被研磨面を研磨する。
Claim (excerpt)：
シリコンウエハの被研磨面と紫外光透過性研磨部材との間に酸化剤とフッ化水素を含む水系薄液層を介在させた状態で、該研磨部材側から該薄液層に紫外光を入射しながら、シリコンウエハの被研磨面と研磨部材を相対的に摺動させて、シリコンウエハの被研磨面を研磨することを特徴とするシリコンウエハの研磨方法。
IPC (7)：
H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  B24B 1/00 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/306
FI (7)：
H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 D ,  B24B 1/00 A ,  B24B 37/00 Z ,  C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 Z ,  H01L 21/306 M
F-Term (11)：
3C049AA07 ,  3C049CB01 ,  3C049CB03 ,  3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD08 ,  5F043DD16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 特開昭61-270060
  • エッチング方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-241827   Applicant：学校法人東海大学
  • 特開平1-193166
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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